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口頭

Determination of anisotropic diffusion ratio on Si(110)-16$$times$$2

矢野 雅大; 寺澤 知潮; 保田 諭; 町田 真一*; 朝岡 秀人

no journal, , 

Si(110)-16$$times$$2再構成構造上のSi原子の異方性拡散係数比を、走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて「ボイド」を観察することによって決定される。各ボイド深さの異方性成長速度比を評価するために、ボイド縁の長さを測定した。ボイド形状の異方性はボイドが深くなるにつれて低下し、側壁拡散時のSi密度比の低下を示している。拡散したSi原子の上部テラス、下部テラス、および隣接する側壁への移動を考慮して、[1$$bar{1}$$2]と[$$bar{1}$$12]に沿った方向の拡散係数を決定した。それにより、Si(110)-16$$times$$2のステップ行に平行は、他の方向のものより3.0倍高くなることを明らかにした。

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